



产品描述
PY32F002BD15
内部高频时钟源 HSI 特性表 5-14 内部高频时钟源特性符号参数条件较小值典型值较大值单位fHSIHSI 频率TA = 25°C,VCC = 3.3V23.83(2)2424.17(2)MHz47.66(2)4848.34(2)ΔTemp(HSI)HSI 频率温度漂移24MHzVCC = 2.0V ~ 5.5VTA = -40°C ~ 85°C-2 (2)2 (2)%VCC = 1.7V ~ 5.5VTA = 0°C ~ 85°C-2 (2)2 (2)VCC = 1.7V ~ 5.5VTA = -40°C ~ 85°C-4 (2)2 (2)fTRIM(1)HSI 微调精度0.1%DHSI(1)占空比4555%tStab(HSI)HSI 稳定时间24 (1)μsIDD(HSI) (2)HSI 功耗24MHz193μA(1) 由设计保证,不在生产中测试。(2) 数据基于考核结果,不在生产中测试。5.3.8. 内部低频时钟源 LSI 特性表 5-15 内部低频时钟特性符号参数条件较小值典型值较大值单位fLSILSI 频率TA = 25°C,VCC = 3.3V31.632.633.6KHzΔTemp(LSI)LSI 频率温度漂移VCC = 1.7V ~ 5.5VTA = 0°C ~ 85°C-10(2)10(2)%VCC = 1.7V ~ 5.5VTA = -40°C ~ 85°C-20(2)20(2)PY32F002B Datasheet36/50符号参数条件较小值典型值较大值单位fTRIM(1)LSI 微调精度0.2%tStab(LSI) (1)LSI 稳定时间150μsIDD(LSI) (1)LSI 功耗210nA(1) 由设计保证,不在生产中测试。(2) 数据基于考核结果,不在生产中测试。5.3.9. 存储器特性表 5-16 存储器特性符号参数条件典型值较大值(1)单位tprogPage program-1.01.5mstERASEPage/sector/mass erase-3.55.0msIDDPage programe2.12.9mAPage/sector/mass erase2.12.9(1) 由设计保证,不在生产中测试。
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