批发FT60f022 ft60f023 60f021

 8层硬件堆栈 层硬件堆栈 x11bitx11bitx11bit x11bitx11bit
 2T 或 4T 指令周期
 2K x14bx14b x14b程序存储空间（ 程序存储空间（ 程序存储空间（ 16bytes/page 16bytes/page16bytes/page16bytes/page16bytes/page 16bytes/page 16bytes/page 16bytes/page）
 256x8b 256x8b 256x8b 数据 EEPROMEEPROMEEPROMEEPROM EEPROM（16bytes/page 16bytes/page16bytes/page16bytes/page16bytes/page 16bytes/page 16bytes/page 16bytes/page）
 数据 EEPROMEEPROMEEPROMEEPROM EEPROM在应用编程 在应用编程
 128 x8b SRAMx8b SRAM x8b SRAM x8b SRAMx8b SRAMx8b SRAM
 1 x 带 8位预分频的定时器 位预分频的定时器 位预分频的定时器 0
 1 x 带 8位预分频的定时器 位预分频的定时器 位预分频的定时器 2
 带 7位预分频的 位预分频的 WDTWDTWDT，溢出频率约为 ，溢出频率约为 ，溢出频率约为 16 -2048ms2048ms 2048ms 2048ms
 上电延迟计数器 上电延迟计数器 PWRTPWRTPWRTPWRT
 低功耗模式 低功耗模式 SLEEPSLEEPSLEEPSLEEPSLEEP
 多个唤醒源， 多个唤醒源， INT 、 端口变化中断、 端口变化中断、 端口变化中断WDTWDTWDT、数据 EEPROMEEPROMEEPROMEEPROMEEPROMEEPROM写完成，等 写完成，等
 内置高速 16M RC 16M RC 16M RC 振荡器 振荡器
 内置低速 32K RC 32K RC32K RC 振荡器 振荡器
 支持外部晶振 支持外部晶振 16M16M 或 32K32K ，以及外部时钟模式 ，以及外部时钟模式 ，以及外部时钟模式
 时钟缺失检测 时钟缺失检测
 双速启动模式（晶体或外部时钟下） 双速启动模式（晶体或外部时钟下） 双速启动模式（晶体或外部时钟下） 双速启动模式（晶体或外部时钟下） 双速启动模式（晶体或外部时钟下） 双速启动模式（晶体或外部时钟下）
 内置 2个高速精度比较器 个高速精度比较器 个高速精度比较器 个高速精度比较器
 可编程的片上参考电压 可编程的片上参考电压 可编程的片上参考电压
 比较可直接输出 比较可直接输出 比较可直接输出
 较多 16 个通用 个通用 IO ，18 根芯片管脚 根芯片管脚
 7个 IO 带独立上拉控制 带独立上拉控制 带独立上拉控制
 端口变化中断， 端口变化中断， RA0 RA0-RA7 RA7
 支持在系统编程 支持在系统编程 ICSPICSP ICSP
 支持在线调试 支持在线调试
 程序空间保护 程序空间保护
 工作电压范围： 工作电压范围： 2.0V 2.0V-5.5V 5.5V
 较大时钟工作频率： 较大时钟工作频率： 较大时钟工作频率： 16MHz16MHz 16MHz16MHz
 FSYS SYS=8MHz: 2.0V=8MHz: 2.0V=8MHz: 2.0V =8MHz: 2.0V=8MHz: 2.0V =8MHz: 2.0V=8MHz: 2.0V=8MHz: 2.0V-5.5V 5.5V
 FSYS SYS=16MHz: 2.7V=16MHz: 2.7V=16MHz: 2.7V =16MHz: 2.7V=16MHz: 2.7V=16MHz: 2.7V =16MHz: 2.7V =16MHz: 2.7V-5.5V 5.5V
封装类型： 封装类型： SOP8SOP8SOP8SOP8、SOP1SOP1SOP1SOP14、SOP16SOP16SOP16SOP16 、SOP18SOP18SOP18SOP18 、TSSOP20TSSOP20TSSOP20TSSOP20TSSOP20TSSOP20 、DIP18 DIP18DIP18 、SSOP10SSOP10SSOP10SSOP10SSOP10

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