



产品描述
主要特性
8−bit 基于EEPROM 的RISC MCU
Program: 3k x 14; RAM: 256 x 8; Data: 128 x 8
8 / 10 / 14 / 16 / 20 引脚
ADC: 真正的12−bit 精度 (VADC−REF = 0.5V 时为11−bit 精度)
4 个定时器, 4 路独立PWM − 1 路带死区控制
低Standby, WDT 和工作电流
POR, LVR, LVD – 单输入比较器
可配置源电流和灌电流
高ESD, 高EFT
低VDD 工作电压HIRC 可微调
ADC (12−bit)
• 真正12−bit 精度 (≤ 850 kHz ADC时钟)
• 8 + 1 通道
• VADC−REF
✓ 内部: 0.5, 2.0, 3.0, VDD
✓ 外部: +, − 可选
• 自动阈值比较和中断
PWM (Total 4)
• 支持在SLEEP下运行
• 共4个通道 (相同周期) :
✓ 独立:占空比,极性
• 1个通道 (多达6个I/O):
✓ 互补输出+死区
• 自动故障刹车 (I/O, LVD, ADC)
• XOR, XNOR第2功能
• 单脉冲模式;蜂鸣器模式
Timers
• WDT (16−bit): 7−bit后分频
• Timer0 (8−bit): 8−bit预分频
• Timer1 (12−bit)
• Timer2 (16−bit): 4−bit预分频和后分频
• 支持在SLEEP下运行
• LIRC, 1 or 2x {指令时钟, HIRC, 晶振},
2x EC
I/O PORTS (多达18个I/O)
• 上拉/下拉电阻
• 开漏
• 8个I/O源电流: 3, 6 or 18mA (5V, 25°C)
• 8个I/O漏电流: 35 or 53 mA (5V, 25°C)
• 8个I/O: 中断/唤醒
电源管理
• SLEEP
• LVR: 2.0, 2.2, 2.5, 2.8, 3.1, 3.6, 4.1 (V)
• LVD: 1.2, 1.8, 2, 2.4, 2.7, 3, 3.3, 3.6, 4 (V)
(LVD可用作极性可选的单输入比较器功能)
系统时钟 (SysClk)
• HIRC高速内部振荡器
✓ 16MHz <±1.5% typical (2.5−5.5V, 25°C)
✓ 可微调
✓ 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64分频
• LIRC低功耗低速内部振荡器
✓ 32 kHz或256 kHz
• EC外部时钟 (I/O输入)
• LP / XT晶振输入
✓ 双速时钟启动 (HIRC或LIRC)
✓ 故障保护时钟监控
其他特性 (欢迎垂询)
• ADC低侧0.12mV分辨率,0.24mV精度,适用于电流检测
• 13.56 MHz载波
• 用于锂电池的3.2V − 4.7V监控
• ½ VDD LCD偏置
集成开发环境 (IDE)
• 片上调试 (OCD),ISP
• 3个硬件断点
• 软复位,暂停,单步,运行等
封装
• SOP8 MSOP10 SOP14 SOP16
SOP20 TSSOP20 DIP20 QFN20
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