SDH8594AS线损补偿：在实际的应用设计中,输岀电压在电缆线上会有不同程度的压降ⅤAB。在不同的电流情况下,输岀端的整流二极管压降VD也会发生改变,需要综合考虑，SDH8594AS通过内部一个电流源来产生带有失调的反馈电压VFB。内部电流源的大小与输出电流大小成比例关系。当负载电流从满载到空载的时候，ⅤFB的失调电压増加,增加量可以通过反馈电阻R1和R2调节。
SDH8594AS CC控制方式：通过电路对FB为正、为负或准谐振的时间进行计算,FB为正的时间为ToF1表示变压器的次级线圈有电流,FB为负的时间为TN,FB衰减振荡的时间为ToFF2,在这两个时间内变压器的次级线圈没有电流。
随着发展的科技信息化时代，生活工作都与电子产品息息相关。适配器IC也就被大量的应用起来了，适配器IC可分为原边反馈（PSR）电源芯片和副边反馈（SSR）电源芯片。PSR电源芯片价格比SSR的较低，因为原边反馈电源芯片无光耦和TL431，所以在价格上就比较便宜一点。而适配器IC所使用的功率管耐压也分为三极管（BJT）和MOSFET,三极管（BJT）的耐压可达到700V左右;MOSFET耐压可达到600V左右 。
SDH8594AS原边反馈电源芯片采用PFM调制技术，实现精确的恒压/恒流（CV/CC）控制，效率和待机功耗满足DOE Level 6能效标准。
SDH8594AS内置了高压MOS管，使用了自有的技术来实现高压启动功能，降低待机功耗以及提高转换效率，具有外部可调的线损补偿和内置的峰值电流补偿等功能，可以确保精准的恒压/恒流（CV/CC）性能，在确保待机功耗满足DOE Level 6能效标准的前提下，具有极佳的动态响应性能。
SDH8594AS各种保护措施：芯片内部集成多个保护功能,包括过温保护、FB过压保护、VcC过压保护、输岀短路保护、限流保护、大导通时间保护等功能,全部都是芯片自动恢复(除了限流保护),即检测到异常状态后,芯片关断输出,VCC电压开始下降到欠压点,关断内部全部模块,通过耗尽型MOS对∨CC端电容进行充电,重复一个芯片启动的过程。
SDH8594AS CV控制方式：当MOS管关断,反馈电压为正,在FB为正的2/3~1/2时间点进行采样,采样得到的电压经过与恒压阈值Vc的比较、放大,产生恒压环路的关断时间ToF,从而实现输出的恒压。在轻载或者中载的时候,恒压环路产生不同的峰值电流。
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